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半導体試験装置

メモリーICバーインチャンバー・パワーデバイス耐電圧試験装置・
温湿度バイアス印加(THB)試験装置などチャンバーの製作が可能です。

メモリーICバーインチャンバー

メモリーICバーインチャンバー
【チャンバー仕様】
型式 BC-615/R15-460
試験室寸法 W650×H850×D650×2室
温度範囲 低温部 −65℃〜150℃
高温部 25℃〜150℃

【ラック 60mmピッチ12段】
基盤挿入 縦、横挿入とも製作可能
結露防止 N2ガスパージ機能付き

パワーデバイス耐電圧試験装置

パワーデバイス耐電圧試験装置
【チャンバー仕様】
型式 HS-351
試験室寸法 W350×H300×D450
温度範囲 30℃〜160℃
湿度範囲 60%RH〜100%RH

【電圧印加装置】
チャンネル数 40CH
電圧 MAX1500V

温湿度バイアス印加(THB)試験装置

温湿度バイアス印加(THB)試験装置
【チャンバー仕様】
型式 THB-85-460
試験室寸法 W600×H1300×D600
温度範囲 20℃〜100℃
湿度範囲 30%RH〜98%RH

【バイアス印加装置】
ゾーン数 1〜15ゾーン
電源 3電源
信号数 32本 信号周波数 100KHz MAX

400mmウエハーベークオーブン

400mmウエハーベークオーブン
型式 BKO-R450-180
試験室寸法 W600×H500×D600×2室
温度範囲 60℃〜450℃
湿度分布 ±2.5℃以内(450℃時)
酸化防止 N2ガスパージ機能付き

HASTシステム

HASTシステム
飽和、不飽和モード運転可能
バイアス印加端子20P標準装備、ラック製作可
型式 HS-351 HS-352
試験室寸法 W350×H300×D450 W350×H300×D450×2槽
温度範囲 105℃〜160℃ 下段30℃〜160℃
上段105℃〜160℃
湿度制御範囲 65%RH〜100%RH 65%RH〜100%RH
圧力範囲 0.02〜0.35MPa 0.02〜0.35MPa
下層段は30℃60%RH可能

超低温液循環装置

超低温液循環装置
半導体製造装置クライオユニットに組み込み可能
バイオ関連等超低温実験装置に最適
型式 ULT-75P
温度範囲 -75℃〜0℃
循環量 7.0L/分〜

循環ポンプ外付け機種も製作可能